СЕНСОРИ НА ОСНОВІ ZnMgSe
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 12, № 1 (2015); 95-99 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 12, № 1 (2015); 95-99 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 12, № 1 (2015); 95-99 |
| ISSN: | 1815-7459 2415-3508 |
| Popis: | Effect of Mg diffusion on photoelectrical and luminescence properties of Zn0,88Mg0,12Se have been investigated. It was found that doping substance exhibits the properties of isovalent impurities. It causes an inversion of conductivity type and obtaining of p–n-junctions with high photosensitivity. Mg doped diffusion layers are characterized by intense luminescence in the edge range with quantum efficiency of 15-18 %. Исследовано влияние диффузии Mg на фотоэлектрические и люминесцентные свойства Zn0,88Mg0,12Se. Установлено, что легирующее вещество проявляет свойство изовалентной примеси. Она обуславливает инверсию типа электропроводимости и получение p–n-переходов с высокой фоточувствительностью. Легированные Mg диффузионные слои характеризуются интенсивной люминесценцией в краевой области с квантовой эффективностью 15-18 %. Досліджено вплив дифузії Mg на фотоелектричні і люмінесцентні властивості Zn0,88Mg0,12Se. Встановлено, що легуюча речовина проявляє властивості ізовалентної домішки. Вона зумовлює інверсію типу електропровідності і отримання p–n-переходів з високою фоточутливістю. Леговані Mg дифузійні шари характеризуються інтенсивною люмінесценцією у крайовій області з квантовою ефективністю 15-18 %. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|