Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: |
УДК 537.5
multicharged ion implantation gallium arsenide CMOS technology Schottky transistor p+-n junction graded band gap solar cell багатозарядна іонна імплантація арсенід галію КМОН технологія транзистор Шотткі p+-n перехід варізонний сонячний елемент многозаядная ионная имплантация арсенид галия КМОП технология транзистор Шоттки p+-n переход варизонный солнечный элемент |
| Zdroj: | Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 32-40 Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40 Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40 |
| ISSN: | 1729-3774 1729-4061 |
| Popis: | The paper describes the development of technology of multicharged ion implantation for GaAs. This technology is essential to creating high-performance VLSI structures. The main advantage of ion implantation of GaAs is optimizing the doping profile for the active impact on the characteristics of Schottky field-effect transistors, namely reducing the surface influence on the stability of Schottky transistors and enhancing their performance by reducing the resistance of the source and drain regions. The first section of this paper presents the results of developing the GaAs-based structures with steep Schottky barrier. Next, the technology of multicharged ion implantation of P and B used to create doped pockets and security zones was described. This technology excludes thermal annealing and allows to create pockets and security zones simultaneously, which decreases the number of operations to ten and reduces the distance between the n and p transistors to 5.6 microns. Further, the characteristics of GaAs-based p+-n junctions were given, which allow to form complex structures with minimal defects, which in turn allows to create high-performance GaAs-based C-MOS transistors. Also, the paper considers the use of GaAs technology in solar cells, in which the charge carrier collection rate is increased by reducing the generation-recombination processes in the p-n junction, which greatly increases the efficiency of solar cells compared to monosilicon. Разработана технология изготовления ионно-легированных структур GaAs. Имплантация ионов кремния, бериллия, цинка проводилась в подложку с полуизолирующего арсенида галлия марки АГЧП-2а. Имплантация примеси через капсулирующее покрытие позволило получить достаточно высокие значения подвижности носителей тока в каналах полевого транзистора Шоттки (ПТШ), что позволяет формировать на них КМОП-структуры. Применение многозарядной имплантации и импульсного фотонного отжига для активации n+-области истока и стока обеспечило уровень ретроградного легирования сток-истоковых контактов на уровне (2–5)·1018 см-3. Розроблена технологія виготовлення іонно-легованих структур GaAs. Імплантація іонів кремнію, берилію, цинку проводилась в підкладку із напівізолюючого арсеніду галію марки АГЧП-2а. Імплантація домішки через капсулююче покриття дозволило отримати досить високі значення рухливості носіїв струму в каналах польового транзистора Шотткі (ПТШ), що дозволяє формувати на них КМОН-структури. Застосування багатозарядної імплантації та імпульсного фотонного відпалу для активації n+-областей витоку і стоку забезпечило рівень ретроградного легування стік-витокових контактів на рівні (2–5)·1018 см-3. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|