ДАТЧИКИ НА ОСНОВІ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ
| Jazyk: | angličtina |
|---|---|
| Rok vydání: | 2021 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Photoelectronics; No. 30 (2021); 46-57 Photoelectronics; № 30 (2021); 46-57 |
| ISSN: | 0235-2435 |
| Popis: | The possibility of using the method of combining several sensor elements with opposite sensitivity to various external influences to obtain new designs of sensors for light, temperature and magnetic field has been experimentally investigated. Standard industrial samples of FEJT and a MOSFET in saturation mode with two-pole connection, when the gate is closed with the source, were used as sensor elements in the work. It is shown that the FEJT has a negative temperature coefficient of current change, while the MOSFET has a positive one. At the same time, the sign of the radiative action factor of the MOSFET is determined by the initial value of the drain current before irradiation. It has been experimentally confirmed that the use of four transistors in a bridge measurement circuit increases the sensitivity of the sensor tenfold compared to one transistor due to the internal mechanism of increasing the sensitivity for series-connected pairs of transistors. Резюме Експериментально досліджено можливість використання методу комбінації кількох сенсорних елементів із протилежною чутливістю до різних зовнішніх впливів для отримання нових конструкцій датчиків світла, температури та магнітного поля. В якості сенсорних елементів в роботі були використані промислові зразки польових транзисторів з p-n-переходом в якості затвору (FEJT) і МОН ПТ (MOSFET) в режимі насичення при двополюсному включенні, коли затвор є замкнутим з витоком. Показано, що у FEJT температурний коефіцієнт зміни струму негативний, а у MOSFET – позитивний. У той же час знак коефіцієнта радіаційного впливу MOSFET визначається початковою величиною струму стоку до опромінення. Експериментально підтверджено, що використання чотирьох транзисторів у мостової схемі вимірів підвищує чутливість датчика в десятки разів у порівнянні з одним транзистором за рахунок внутрішнього механізму збільшення чутливості для послідовно з'єднаних пар транзисторів. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|