| Popis: |
ÖZ GELİŞTİRİLMİŞ IYONIZASYON TİPLİ YARIİLETKEN FOTOĞRAF SİSTEMİNİN KARAKTERİZASYONU Ganioğlu, Okhan Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez yöneticisi : Doç. Dr. Bülent G. Akınoğlu Eylül 1997, 59 sayfa Geliştirilmiş yarıiletken elekrotlu iyonizasyon tipli yarıiletken fotoğraf sistemi çalışıldı. Sistemin akım- voltaj ve radyasyon- voltaj özellikleri basıncın bir fonksiyonu şeklinde deneysel olarak elde edildi. GaAs plaka belli bir dalga boyu aralığındaki ışık ile aydınlatılarak fotoiletkenliği kontrol edildi. Yarıiletken maddenin gaz boşalmasını stabilize ettiği gözlendi. Üç ayrı örnek için üç tane içice dairesel kapak kullanılarak sistem içindeki Bi film üzerinde üç ayrı bölge üç ayrı süre ile aydınlatıldı. Deneyler üç ayrı basınç altında tekrar edildi. İmaj kayıt etmek için aydınlatma süresinin 30 dakikanın üzerinde olması gerektiği bulundu.SEM analizleri sonucu GaAs plakanın iletkenliğindeki bölgesel değişmelerden dolayı, Bi üzerinde dağlama bölgeleri oluştuğu gözlenmiştir. Bize göre bu tip değişmeler geliştirilmiş sistemle Bi üzerine görüntü oluşturmanın en önemli problemlerinden bir tanesidir. Anahtar Sözcükler : İyonizasyon tipli yarıiletken fotoğraf sistemi, yarıiletken elektrod, Bi flim, dağlama. vi ABSTRACT CHARACTERIZATION OF THE MODIFIED IONIZATION TYPE SEMICONDUCTOR PHOTOGRAPHIC SYSTEM Ganioğlu, Okhan M.S., Department of Physics Supervisor : Assoc. Prof. Bülent G. Akınoğlu September 1997, 59 pages The modified semiconductor photographic system of the ionization type with semiconducting electrode in parallel-plane geometry has been studied. Current- Voltage and Radiation- Voltage characteristics of the system are obtained experimentally as a function of pressure. The GaAs plate was irradiated with light in a particular wavelength range that was used to control the photoconductivity of the material. The semiconductor material was found to stabilize the discharge. IllThree different parts of the surface of the Bi film were exposed for three different times for three samples and pressures by using three concentric circular covers. It is found that the effective exposure time should be over 30 minutes to obtain sufficient etching to record image. SEM analysis showed that etching pits are formed on the Bi film due to the spatial variations of the conductivity (or photoconductivity) of GaAs plate. We believe that such variations would be one of the major drawbacks of image formation on Bi film using modified system. Keywords : Ionization type semiconductor photographic system, semi conductor electrode, Bi film, etching. IV 56 |
