| Popis: |
Usporedno s ubrzanim industrijskim rastom javlja se potreba za pronalaženjem inovativnih načina pročišćavanja otpadnih voda od organskih polutanata. Jedna od metoda pročišćavanja temelji se na uporabi procesa fotokatalize zbog ekonomske isplativosti te netoksičnosti za okoliš. U ovom radu smo kao fotokatalizator upotrijebili cinkov oksid (ZnO) dobiven pomoću depozicije atomskih slojeva (ALD) na površini silicija. Ispitivali smo razliku u brzini fotodegradacije otopine metil oranža (MO) pod UV svjetlom (snage 600 W i 8 W) u prisutnosti tankog filma ZnO dobivenog termičkim ALD putem i plazmom potpomognutim ALD (PEALD) putem.Fotodegradaciju MO-a smo pratili pomoću UV/Vis spektrofotometra s kojim smo mjerili promjenu UV apsorbancije otopine praćenu dekolorizacijom. Pod UV lampom snage 600 W, PEALD-ov ZnO je u 65 minuta 91,5 % MO-a fotodegradirao dok je termički ALD 55,6 %. Pod UV lampom snage 8 W, PEALD-ov ZnO je u 3 sata 88 % MO-a fotodegradirao dok je termički ALD 52 %. Iz dobivenih rezultata vidimo da PEALD-ovi tanki filmovi ZnO posjeduju veću fotokatalitičku sposobnost te ukazuju na mogućnost uporabe PEALD tehnike za povećanje fotokatalitičkih svojstava tankih filmova poluvodiča. |
