Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices

Autor:	Nigro, R. L., Greco, G., Swanson, L., Fisichella, G., Fiorenza, P., Giannazzo, F., Di Franco, S., Bongiorno, C., Marino, A., Malandrino, G., Roccaforte, F.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2013
Předmět:	GaN Nickel oxide SiC
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4731::9238174413384a55c60f2d93a4c0ce7d http://hdl.handle.net/20.500.11769/489459 Zobrazit plný text záznamu