Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2
| Autor: | Strenaer, Raphaël, Guhel, Yannick, Brocero, Guillaume, Gaquière, Christophe, Boudart, B. |
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| Přispěvatelé: | Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072, Groupe de Recherche en Informatique, Image et Instrumentation de Caen (GREYC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU), Normandie Université (NU), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Ces travaux ont été menés dans le cadre du projet ETHNOTEVE, financé par l’Union Européenne et la Région Normandie (FEDER/ FSE 2014-2020). |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2022 |
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| Zdroj: | Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2 XXIIèmes Journées Nationales Microondes XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France |
| Popis: | National audience; L’objectif de cette étude était de déterminer la température de fonctionnement de transistors AlInN/GaN par spectroscopie Raman. Afin d’estimer à la fois la température volumique et surfacique du GaN et des électrodes métalliques, nous avons combiné les possibilités offertes par la spectroscopie micro-Raman classique avec celles offertes par l’utilisation de micro-thermomètres à base de CeO2 et de TiO2 déposés sur le composant. Ainsi, nous avons montré que la température d’auto-échauffement surfacique du GaN mesurée grâce aux microparticules est de l’ordre de 200 °C alors que la température volumique de la couche de GaN est d’environ 150 °C pour une densité linéique de puissance dissipée de 9 W/mm. L’étude nous a permis d’analyser les avantages et les inconvénients de chacun des micro-thermomètres. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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