Sub-Micron thick Step-Graded AlGaN Buffer on Silicon with a Buffer Breakdown Field Higher Than 6 MV/cm
| Autor: | Carneiro, Elodie, Rennesson, Stéphane, Tamariz, S., Semond, Fabrice, Medjdoub, F |
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| Přispěvatelé: | WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), EasyGaN, Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), ganex, Renatech Network, CMNF, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Proceeding of IWN2022 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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