| Popis: |
Ovaj rad opisuje i sistematizira poluvodičke detektore za infracrveno zračenje. Opisuju se značajke amorfnog bora te analiziraju mehanizmi zaslužni za njegova izvrsna optička i električka svojstva. U programu Sentaurus TCAD modelira se sloj amorfnog bora na germaniju koji se zatim koristi za simulacije lavinske fotodiode. Dioda se zatim optimizira u smislu probojnog napona i vremena odziva. Na kraju, analizira se i uspoređuje rad diode izvedene na germanijskoj podlozi i onoj od silicija. This paper classifies and describes semiconductor infrared detectors. Then, it describes amorphous boron ( also called pureB) thin films and analyses the mechanisms that are responsible for its superb optical and electrical properties. The mentioned structure is modelled in Sentaurus TCAD software on germanium and then used to simulate properties of avalanche photodiode. The photodiode is the optimised to achieve better breakdown voltage and time response. In the end, the photodiode made on bulk germanium is compared to the one made on bulk silicon. |
