| Popis: |
Актуальность исследования процессов кристаллизации карбоната кальция обусловлена их исключительной ролью в природе и широким распространением в техногенной деятельности человека. Движущей силой процесса кристаллизации является степень пересыщения раствора, т. е. превышение фактической концентрации кристаллизующегося вещества над равновесной. В пересыщенных растворах кристаллизация начинается с образования нестабильных кластеров ионов, из которых на стадии так называемой гомогенной нуклеации образуются зародыши кристаллов. За счет адсорбции ионов на дефектных участках поверхности зародыши постепенно растут и после достижения некоторого критического размера с увеличением радиуса частиц свободная поверхностная энергия кристалла уменьшается, что стимулирует дальнейший рост больших кристаллов. Рост кристаллов на уже образовавшейся границе между твердым телом и жидкостью является инициированным, т. е., согласно теории гетерогенной нуклеации, кристаллический зародыш на поверхности образуется гораздо легче, чем при случайном столкновении молекул кристаллизующегося вещества в объеме пересыщенного раствора. Гетерогенная поверхность может служить матрицей, формирующей кристалл образующейся соли при условии совпадения сингонии (конфигурация элементарной ячейки) кристалла, материала поверхности и кристаллизующегося на ней вещества и близких параметров их кристаллических решеток. |
