Photoelectrical characteristics of metall - Ga2O3 - GaAs structures

Jazyk:	ruština
Rok vydání:	2017
Předmět:	пленки Ga2O3 фототоки термический отжиг
Zdroj:	Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Popis:	Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменном и постоянном сигналах и их фотоэлектрическими характеристиками.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::dcc19c9f21c1144449284c8fc64ffae3 http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673336 Zobrazit plný text záznamu