| Popis: |
Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. Выбор технологических параметров nBn -структур определялся возможностями создания инфракрасных детекторов для спектрального диапазона 3-5 мкм (MWIR). Изучались структуры с различным составом в барьерном слое (от 0.67 до 0.84) при толщине этого слоя от 120 до 300 нм. Установлено, что наибольшее влияние на вид вольт-амперных характеристик оказывает состав в барьерном слое. Для состава, равного 0.84, при небольшом обратном смещении плотность тока значительно меньше, чем для структур с меньшими составами в барьере. Для структур с выраженной зависимостью плотности тока от температуры найдены энергии активации, которые находились в диапазоне от 66 до 123 мэВ. Исследования nBn -структур с разными площадями электродов показали, что для больших плотностей токов важную роль играет утечка по боковым стенкам. Обсуждены возможные механизмы формирования вольт-амперных характеристик в MWIR nBn -структурах на основе МЛЭ HgCdTe. |
