Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур

Přispěvatelé:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Jazyk:	ruština
Rok vydání:	2012
Předmět:	арсенид галлия вольт-сименсные характеристики поверхностные состояния оксид галлия вольт-фарадные характеристики МДП-структуры
Zdroj:	Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 123-126
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::620b6be8017c9b18beffa12b82fbdf48 http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448592 Zobrazit plný text záznamu