| Popis: |
Вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом проведено осаждение многослойного покрытия на основе Ti и Al в двух разрядных системах - в традиционной системе плазменно-ассистированного вакуумно-дугового напыления и в системе генерации газометаллических пучково-плазменных образований, формируемых в полом катоде несамостоятельного тлеющего разряда низкого давления. Полученные в исследуемых разрядных схемах покрытия близки по элементному и фазовому составу. В покрытии, напыленном в пучково-плазменном образовании, содержание алюминия ниже на 8 %, что, вероятно, связано с совокупной более высокой средней величиной плотности потока ионов на поверхность растущей пленки в несамостоятельном тлеющем разряде. В этом покрытии отсутствуют элементы, входящие в состав материала распыляемого полого катода. Газометаллические пучково-плазменные образования, формируемые при низком давлении, перспективны в процессах нанесения функциональных покрытий вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом. |
