| Popis: |
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники. |
