Structural characterization of thick, high-quality epitaxial Ge on Si substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition

Autor:	Thomas, S. G., Bharatan, S., Jones, R. E., Thoma, R., Zirkle, T., Liu, R., Wang, X. D., Xie, Q., Rosenblad, C., Ramm, J., Isella, Giovanni, VON KAENEL, H., Edwards, N. V.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2003
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3731::fcb319c4903e61b194a739aae583baf2 http://hdl.handle.net/11311/517907 Zobrazit plný text záznamu