Voltage-dependent random telegraph noise (RTN) in HfOx resistive RAM

Autor:	Balatti, Simone, Ambrogio, Stefano, Cubeta, Antonio, Calderoni, Alessandro, Ramaswamy, Nirmal, Ielmini, Daniele
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2014
Předmět:	Engineering (all) random telegraph noise Resistive switching memory (RRAM) current fluctuation
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3731::f6e9b267ce7154c30f5cb73d906c122d http://hdl.handle.net/11311/964747 Zobrazit plný text záznamu