Quantum transport through a disordered array of Ge-vacancy defects in silicon for application in quantum technologies
Autor: | Achilli, S., N. H., Le, Fratesi, G., Manini, N., Onida, G., Turchetti, M., Ferrari, G., Shinada, T., Tanii, T., Prati, E. |
---|---|
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2021 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |