Modeling the charge transport and degradation in HfO 2 dielectric for reliability improvement and life-time predictions in logic and memory devices

Autor:	Padovani, Andrea, Larcher, Luca, Vandelli, Luca, Pirrotta, Onofrio, Pavan, Paolo
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2011
Předmět:	Hafnium Oxide breakdown reliability modeling trap-assisted tunneling RRAM
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3674::9b8d35da13e828709f9a2d9e3139e824 https://hdl.handle.net/11380/1248294 Zobrazit plný text záznamu