Mechanism of Retention Degradation after Endurance Cycling of HfO2-based Ferroelectric Transistors
Autor: | Zhou, H., Ocker, J., Pesic, M., Padovani, A., Trentzsch, M., Dunkel, S., Muller, J., Beyer, S., Larcher, L., Koushan, F., Muller, S., Mikolajick, T. |
---|---|
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2021 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |