Microscopic origin of compressive strain in hydrogen-irradiated dilute GaAs_{1−y}N_{y} alloys: Role of N-H_{n} centers with n>2 and their thermal stability

Autor:	Wen, L., Stavola, M., Fowler, W., Trotta, R., Polimeni, A., Capizzi, M., Bisognin, Gabriele, Berti, Marina, Rubini, S., Martelli, F.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2012
Předmět:	semiconductors energy absorption
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3657::c1b3f6689a012bbb9addc72349f848c1 http://hdl.handle.net/11577/2538482 Zobrazit plný text záznamu