Reactive Ion Etching for Improved Ohmics in AlGaN/GaN HEMT's

Autor:	Buttari, Dario, Chini, Alessandro, Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico, Moran, B., Heikman, S., Zhang, N. Q., Shen, L., Coffie, R., Mishra, U. K.
Rok vydání:	2001
Předmět:	Gallium Nitride HEMT ohmic contacts
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3657::838080d96c87ac3552ad546d3a050181 http://hdl.handle.net/11577/2467367 Zobrazit plný text záznamu