Atomic layer deposition of ZnO und \(Ga_{2}O_{3}\) thin films as transparent semiconducting oxides

Autor: O'Donoghue, Richard (M. Sc.)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2018
Předmět:
Popis: Das Internet der Dinge (IdD) beschreibt die Vision einer globalen Infrastruktur unter Vernetzung physischer und virtueller Gegenstände und deren Zusammenarbeit mithilfe von Kommunikations- und Informationstechniken. Transparente halbleitende Oxide (TSOs) sind Schlüsselkomponenten in den elektronischen Geräten, auf denen das IdD basiert. Die vorliegende Dissertation beschreibt die Entwicklung metallorganischer Komplexe für die Herstellung von TSOs. Das Weiteren wurde demonstriert, dass schrittweise Erforschung und Weiterentwicklung der Präkursorchemie und der Prozesse essentiell sind, um die Herausforderungen im Zusammenhang mit der Atomlagenabscheidung (ALD) und der chemischen Lösungsabscheidung (CSD) zur Erzeugung von Galliumoxid und Zinkoxid zu bewältigen.
Databáze: OpenAIRE