Electrical characterization of metal-polymer-semiconductor (MIS) devices with trimethylolprophane triacrylate (TMPTA) interface
| Autor: | Özenç, Mehmet Emin |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Pakma, Osman, Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı |
| Jazyk: | turečtina |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Popis: | Bu çalışmada Trimetilolpropane Triakrilat (TMPTA) Polimer arayüze sahip Metal-Polimer-Yarıiletken (MPS) aygıtların oda sıcaklığında akım - gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) analizleri incelenmiştir. Al/TMPTA/p-Si (MPS) yapısının karanlık altındaki akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirilerek; doğrultma oranı (RR), idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕB) ve seri direnç (Rs) gibi aygıt parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri ile diğer elektriksel parametreler belirlenmiştir. Sonuçlar literatür ile karşılaştırılmış, TMPTA fotopolimer organik arayüzey tabakasının MPS aygıtlarının fabrikasyonu için iyi bir aday olduğu görülmüştür. In this study, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) analyzes of Metal-Polymer-Semiconductor (MPS) devices with Trimethylolpropane Triacrylate (TMPTA) Polymer interface were investigated at room temperature. By performing current-voltage (I-V) measurements of the Al/TMPTA/p-Si (MPS) structure under dark; Device parameters such as rectification ratio (RR), ideality factor (n), barrier height (ϕB) and series resistance (Rs) were determined. In addition, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements and other electrical parameters were determined. The results were compared with the literature and it was seen that the TMPTA photopolymer organic interfacial layer is a good candidate for fabrication of MPS devices. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|