Sidewall roughness characterization of a 20nm half-pitch resist-core spacer patterning process
| Autor: | Dupuy, E., Fouchier, M., Pargon, E., J., Pradelles, Grampeix, H., Pimenta-Barros, P., Barnola, S., Joubert, O. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2014 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM 2014), 7th International Workshop Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM 2014), 7th International Workshop, May 2014, Grenoble, France |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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