Hexagonal Ge on self-assisted GaAs Nanowires in MBE

Autor: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose
Přispěvatelé: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: C'Nano 2023
C'Nano 2023, Mar 2023, Poitiers, France
Popis: National audience
Databáze: OpenAIRE