Bismuto oksido draudžiamosios energijų juostos įvertinimas
| Autor: | Baranauskas, Paulius |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Čyvienė, Jurgita |
| Jazyk: | litevština |
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: | |
| Popis: | Bismuto oksidas - viena perspektyviausių medžiagų, kurią siekiama pritaikyti medicinoje, ekologijai gerinti, darbų saugoje, energetikoje elektronikoje ir kt. Didžiausią dėmesį traukia δ fazės bismuto oksidas, kadangi turi geriausią žinomą joninį laidumą ir tinkamą draudžiamosios energijų juostos plotį. Taikymą riboja δ fazės nestabilumas žemose temperatūrose. Dauguma stabilizuotų šios fazės medžiagų yra įterpus kitų metalų jonus, dėl ko nukenčia joninis laidumas ir kitos fizikinės savybės. Baigiamojo bakalaurinio darbo tikslas ištirti suformuotų bismuto oksido plonų sluoksnių optines savybes, nustatyti draudžiamųjų energijų juostų pločius ir susidariusias fazes In this work, the optical properties of bismuth oxide thin films, deposited on different temperature glass substrates by plasma assisted evaporation, were studied. Thin films optical transmittance, reflection and absorption parameters were measured using optical spectroscope in order to calculate absorption coefficient and refractive index relations with light wave length. Optical band gaps energies were determined from absorption coefficient’s relation to photon energy. To compare to other studies, thin films phases were examined. It was found out, that two amorphous thin films, one β-phase and one δ-phase thin films formed. Only one sample was thick enough to measure refractive index. It was found out, that refractive index of this thin film was lower than in other publications. All thin films’ band gap energies widths were found in the same range as other studies. The widest band gap energy is found to be amorphous thin film, deposited on 30 °C temperature substrate |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|