Amplificación de ondas electromagnéticas en el rango de los terahertz e infrarrojo en cristales de InN y GaN
| Autor: | EDVAART SETHAZIZ JATIRIAN FOLTIDES |
|---|---|
| Přispěvatelé: | J JESUS ESCOBEDO ALATORRE |
| Jazyk: | Spanish; Castilian |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Universidad Autónoma del Estado de Morelos UAEM Repositorio Institucional de Acceso Abierto de la Universidad Autónoma del Estado de Morelos |
| Popis: | En la presente tesis se hace un análisis de la interacción entre tres ondas, con la finalidad de realizar una amplificación súper heterodyna en el rango infrarrojo. Existe una amplificación de ondas de carga espaciales en estructuras como Arseniuro de Galio (GaAs), debido a la conductividad diferencial negativa, pero principalmente al tipo de cristal. En el primer capítulo se hablará en breve de las características principales que forman a los materiales, con el fin de entender la razón de su comportamiento a un nivel atómico. También se hablará un poco de la clasificación que existe en algunos materiales, que son de nuestra principal importancia los semiconductores, y se darán algunas características de los mismo. La tecnología del crecimiento de cristales ha hecho posible producir materiales de ciertas substancias semiconductoras, principalmente germanio y silicio, de una pureza y perfección cristalina en un grado mucho mayor de lo que se puede obtener en la actualidad con metales y aislantes. La existencia de estos cristales casi perfectos, permite al experimentador observar las propiedades de transporte electrónico y los efectos termo electrónico y galvanométrico con facilidad y precisión, teniendo la certeza de que lo que está tratando de observar, no lo oscurecerán los efectos provocados por impurezas o imperfecciones estructurales en la red cristalina. Por tanto, en los semiconductores se pueden observar e interpretar con facilidad los fenómenos que en otros compuestos sería difícil o imposible medir con precisión o explicar de otro modo. El efecto de Gunn, que es en donde se tiene una zona de conductividad que origina un efecto de movilidad diferencial negativa y permite amplificar la onda, llamada a esta; onda de carga espacial, es el principal análisis sobre el que se sostiene la funcionalidad de la amplificación presentada en esta tesis. En el segundo capítulo se hará un breve análisis de la amplificación obtenida con el material Arseniuro de Galio (GaAs), con la finalidad de ejemplificar los métodos analíticos empleados en esta tesis, que posteriormente se usaran para el viii material de interés que es el Nitruro de Indio (InN). Finalmente, en el capítulo tres, se desarrollan los métodos analíticos, el método numérico para la simulación, y se mostraran los resultados obtenidos que muestran que es posible la amplificación usando este material (InN). Desde un punto de vista matemático, los semiconductores pueden ser entendidos como sistemas dinámicos no lineales muy interesantes, ya que muestran un amplio rango de inestabilidades, restricciones y condiciones de contorno que no se encuentran, por ejemplo, en los bien conocidos sistemas fluidos. In this thesis an analysis of the interaction of three waves, in order to make a super heterodyna amplification in the infrared range blocks. There is a spatial wave amplification load structures Gallium Arsenide (GaAs), because of the negative differential conductivity, but mainly on the type of glass. In the first chapter soon, speak of the main features that make the materials, in order to understand the reason for their behavior at an atomic level. Also talk a little classification that exists in some materials, which are our primary concern semiconductors, and some features of the same are given. The crystal growth technology has made it possible to produce semiconductor materials of certain substances, mainly germanium and silicon with a purity and crystalline perfection fantastic, a much higher than can be obtained at present with grade metals and insulators. The existence of these almost perfect crystals allows the experimenter to observe the electronic transport properties, termoelectrics, and galvanometric effects easily and accurately, and be sure that what you are trying to observe, do not darken the effects caused by impurities or imperfections structural in the crystal lattice. Therefore, in semiconductors can easily observe and interpret phenomena in other compounds would be difficult or impossible to accurately measure or explain in a way. The Gunn effect is where we can notice a zone of conductivity that causes an effect of negative differential mobility and this amplifies the wave, called this wave, wave load, give a short historical review and an explanation a little more detail. The second chapter will be a brief analysis of the amplification obtained with Gallium Arsenide (GaAs) material in order to illustrate the analytical methods used in this thesis, which later will be used for the material of interest is the nitride Indio (InN). Finally in chapter three, the analytical methods are developed, the numerical method for the simulation, and results show that amplification is possible using this item (InN) were shown. x From a mathematical point of view, semiconductors can be understood as very interesting nonlinear dynamical systems, as they show a wide range of instabilities, boundary conditions and restrictions not found, for example, the wellknown fluid systems. In the second chapter all the mathematical analysis is addressed from an example made of GaAs, to the methods used in this thesis to analyze the material of interest ( InN ) . |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|