Diluted magnetic nanostructures in the presence of applied external fields

Autor: Alho, Bruno de Pinho
Přispěvatelé: Santiago, Rosana Bulos, Perlingeiro, Pedro Jorge Von Ranke, Makler, Sergio Saul, Sosman, Lilian Pantoja, Guimarães, Luiz Gallisa
Jazyk: portugalština
Rok vydání: 2008
Předmět:
Zdroj: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UERJ
Universidade do Estado do Rio de Janeiro (UERJ)
instacron:UERJ
Popis: Submitted by Boris Flegr (boris@uerj.br) on 2021-01-06T21:12:55Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao mestrado - Bruno_Final_.pdf: 792172 bytes, checksum: 85c72a259bd5fbe5d74adb0f732bdc67 (MD5) Made available in DSpace on 2021-01-06T21:12:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao mestrado - Bruno_Final_.pdf: 792172 bytes, checksum: 85c72a259bd5fbe5d74adb0f732bdc67 (MD5) Previous issue date: 2008-04-17 Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior In the present work we studied properties of the spintronic transport of nanostructures formed by layers of diluted magnetic semiconductors (DMS) and conventional semiconductors with crossed fields applied. The electric field is in the growth direction and the magnetic field is perpendicular t o this one. We studied two configurations of nanostructures where the DMS is located in the barriers or in the well. We will show the possibility of the formation of a double quantum well like effective potential for different values of the applied fields intensities, barriers height and quantum well width. In this situation the system can be seen as a spintronic device called spin filter, since it can control the spin polarization in different regions of the nanostructure. Neste trabalho abordamos algumas propriedades físicas associadas ao transporte spintrônico de nanoestruturas formadas por camadas de semicondutor diluído magnético (SDM) e semicondutor convencional submetidas a campos elétrico e magnético cruzados. O campo elétrico é aplicado na direção de crescimento da nanoestrutura e o campo magnético é aplicado perpendicularmente a essa direção. Estuda mos duas configurações de nanoestruturas onde o SDM localiza-se no poço quântico ou nas barreiras. Mostramos que é possível encontrar um potencial efetivo tipo poço de potencial duplo para um intervalo de intensidades de campos externos, altura da barreira de potencial e largura de poço quântico parabólico. Em tal condição esse sistema pode ser visto como um dispositivo spintrônico chamado filtro de spin, pois consegue selecionar polarizações de spin em diferentes regiões da nanoestrutura.
Databáze: OpenAIRE