Efectos de vacancias y adsorción de H en g-GaN
| Autor: | González Ariza, Roberto Carlos |
|---|---|
| Přispěvatelé: | González Hernández, Rafael Julián |
| Jazyk: | Spanish; Castilian |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Repositorio Uninorte Universidad del Norte instacron:Universidad del Norte |
| Popis: | En esta tesis de maestría se muestra el estudio de las propiedades estructurales y electrónicas de la monocapa hexagonal de g-GaN al introducir vacancias de galio y nitrógeno con diferentes estados de carga: también la adsorción de átomos de hidrógeno con diferentes concentraciones sobre las posiciones de galio y nitrógeno. Todo lo anterior se realizó utilizando cálculo de primeros principios dentro del formalismo de la Teoría Funcional de Densidad y la aproximación de pseudopotenciales. Las propiedades del sistemas g-GaN al introducirle vacancias y adsorciones es importante hoy día, por las excelentes propiedades de los sistemas 2-D como el grafeno y las aplicaciones en la industria electrónica por parte del sistema 3-D de GaN (w-GaN). Sumado a lo anterior, se tiene el descubrimiento de un método de crecimiento de materiales 2-D en el 2016, al igual que el aumento de estudio teóricos a materiales bidimensionales, donde se demuestra que este tipo de estudio contribuye en la consecución de nuevos materiales que se puedan emplear principalmente en la construcción de dispositivos electrónicos de bajos consumo y alta eficiencia. Iniciamos este estudio con la caracterización de la celda limpia del g-GaN, obteniendo sus propiedades estructurales y electrónicas mediante el análisis de las constantes de red, energía de cohesión, análisis de transferencia de carga y estructuras de bandas. Posteriormente se introducen las vacancias (Ga-N) con diferentes estados de carga y la adsorción de hidrógeno para diferentes concentraciones utilizando el método de la supercelda y así calcular la energía total y estabilidad del sistema. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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