Экспериментальное исследование и построение моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с учетом технологического разброса параметров
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2012 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. |
| ISSN: | 1818-0442 |
| Popis: | В диапазоне частот до 40 ГГц представлены результаты измерений S -параметров и экстракции эквивалентных схем пассивных сосредоточенных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем в копланарном исполнении – тонкопленочного резистора, МДМ-конденсатора и квадратной спиральной катушки индуктивности. Компоненты изготовлены по отечественной монолитной 0,3 мкм GaN HEMT-технологии на подложке из сапфира. Предложена и исследована также методика построения статистических моделей пассивных СВЧ-компонентов, учитывающих технологический разброс параметров. There are presented the measured S -parameters of passive lumped MMIC components in coplanar implementation (particularly, a thin-film resistor, MDM capacitor and square spiral inductor) in the frequency range up to 40 GHz. Components were manufactured by domestic monolithic 0.3 µm GaN HEMT-technology on a sapphire substrate. Also, the extraction of equivalent circuits of passive MMIC components with using new analytical and combined techniques and software is demonstrated. On this basis, there is proposed and investigated a technique for constructing statistical models of passive microwave components by taking technological spread of parameters into account. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
