Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов
Jazyk: | ruština |
---|---|
Rok vydání: | 2010 |
Předmět: | |
Zdroj: | Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. |
ISSN: | 1818-0442 |
Popis: | Описывается методика построения (экстракции) малосигнальной эквивалентной схемы СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов на основе измеренных S-пара-метров. Приведен пример применения методики для построения малосигнальной модели транзистора, выполненного по отечественной 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |