Влияние неоднородного распределения электрически активных примесей на перенос носителей заряда в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Инженерный вестник Дона. |
| ISSN: | 2073-8633 |
| Popis: | В работе предложена математическая модель и проведено моделирование вольт-амперных характеристик контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки, с учетом неоднородного распределения электрически активных примесей в полупроводнике. Разработанная математическая модель учитывает квантово-механические эффекты при переносе носителей заряда в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки и позволяет прогнозировать их вольт-амперные характеристики. Результаты моделирования хорошо согласуются с известными из литературы экспериментальными данными, разработанная математическая модель может быть использована в системах автоматизированного проектирования элементов интегральных микросхем. The mathematical model and the simulation of metal-semiconductor contacts with Schottky barrier volt-ampere characteristics taking into account electrically active impurities inhomogeneous distribution in semiconductor are proposed in this work. The developed mathematical model takes into account quantum mechanical effects during the charge carriers transfer in metal-semiconductor junctions with Schottky barrier and allows forecasting their volt-ampere characteristics. The simulation results meet the experimental data from famous literary sources. The developed mathematical model can be used in computer aided design of integrated circuits elements. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
