Явления переноса в монокристаллах и пленках висм
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2009 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Ученые записки Забайкальского государственного университета. Серия: Физика, математика, техника, технология. |
| ISSN: | 2308-8761 |
| Popis: | В работе произведено исследование процессов кристаллизации и режимов изготовления пленок анизотропного полуметалла висмута методом термического напыления в вакууме при контроле структуры поверхности методами атомно-силовой микроскопии. Сравнение коэффициентов переноса в пленках с их значениями в монокристаллах позволило определить вклады взаимодействия носителей заряда в пленках с поверхностью и границами кристаллитов в ограничение подвижностей носителей заряда. The authors of the article investigate crystallization processes and the regimes of anisotropic bismuth semimetal films creation using the method of thermal evaporation in vacuum under the surface structure control with the help of atompower microscopy methods. The correlation of transport coefficients in films gives the authors the possibility to determine the impacts of interaction of current carriers in films with crystallites surface and boundaries into current carriers activity limitation. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|