Device Characteristics of the GaAs/InGaAsN/GaAs P-n-P Double Heterojunction Bipolar Transistor
Autor: | Chang, P. C., Ren, F., Li, N. Y., Baca, A. G., Hou, H. Q., Monier, C., Laroche, J. R., Pearton, S. J., Pearton,S J., Chang,Ping-Chih, Li,N Y., Baca,Albert G., Hou,H Q., Monier,C., Laroche,J R., Ren,F. |
---|---|
Rok vydání: | 2009 |
Předmět: | |
Popis: | No abstract prepared. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |