| Popis: |
У роботі представлені результати розробки системи керування процесом вирощування зливків арсеніду галія, теплового вузла, методу й системи виміру внутрішніх напружень у пластинах арсеніду галію. Представлені в роботі технічні рішення дозволили одержати злитки кремнію діаметром 100 мм. с рухливістю, см² В⁻¹ с⁻¹ - 2500 ÷ 3500; концентрацій носіїв заряду, см⁻³ - 5×10¹⁷ ÷ 5×10¹⁸; густиною дислокацій, см⁻² - до 8×10⁴. Gallium arsenide is a perspective semiconductor, the need for which is constantly in-creasing. This is associated with the development of electronic components operating in excess of the high frequency range and development of terrestrial photovoltaics based on gallium arsenide solar cells. Increase in diameter of grown ingots leads to a deterioration in their performance, which is caused by the imperfection of growing technology. The paper presents the results of the development of systems and devices which help to improve existing technology to produce GaAs ingots and wafers with a diameter of 100 mm with the best technical parameters. Developed a system to manage growing GaAs ingot. As a sensor of diameter ingot it uses a weighting method provides a measurement error in the process of growing ± 1,0 mm. The system allows to grow GaAs ingots with an error of ± 2 mm. For the formation of temperature gradients developed thermal unit, which provides a gradient of 51 .. 53 K/cm in growing of ingots with diameter of 100 mm. For adjusting the process parameters were developed measuring device of the internal stresses that are generated in the ingot during the growth of the GaAs ingot. Presented in paper technical solutions provided a silicon ingot with a diameter of 100 mm. with mobility, cm² V⁻¹ s⁻¹ - 2500 ÷ 3500, the charge carrier density, cm⁻³ - 5×10¹⁷ ÷ 5×10¹⁸; dislocation density, cm⁻² - to 8×10⁴. В работе представлены результаты разработки системы управления процессом выращивания слитков арсенида галлия, теплового узла, метода и системы измерения внутренних напряжений в пластинах арсенида галлия. Представленные в работе технические решения позволили получить слитки кремния диаметром 100 мм. подвижностью, см² В⁻¹ с⁻¹ - 2500 ÷ 3500; концентраций носителей заряда, см⁻³ - 5×10¹⁷ ÷ 5×10¹⁸; плотность дислокаций, см⁻² - до 8×10⁴. |
