Датчик інфрачервоного випромінювання
| Přispěvatelé: | Цибульский, Леонід Юрійович |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Popis: | В магістерській дисертації проведено огляд науково-технічної літератури по призначенню та конструкції датчиків інфрачервоного випромінювання. Показано перспективами використання нітриду галію в електронній техніці для виробництва побутових та промислових датчиків інфрачервоного випромінювання. Проведено аналіз впливу конструктивних особливостей на перспективу розвитку датчиків ІЧ випромінювання. Розглянуті перспективні технології для створення ефективних датчиків. Розроблене експериментальне устаткування для дослідження росту епітаксіальних плівок GаN і AlxGa1-xN та виміру параметрів плівок. Запропонована методика розрахунку параметрів епітаксіальних плівок. In the master's thesis the review of scientific and technical literature on the purpose and design of infrared radiation sensors was carried out. Prospects for the use of gallium nitride in electronic technology for the production of household and industrial infrared radiation sensors are shown. The influence of design features on the perspective of the development of IR radiation sensors is analyzed. Advanced technologies for creating effective sensors are considered. Experimental equipment for the growth of epitaxial GaN and AlxGa1-xN films and measurement of film parameters has been developed. The method of calculation of parameters of epitaxial films is offered. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|