| Popis: |
Дипломна робота присвячена електрофізичним властивостям структури меланін/пористий кремній. Метою роботи є проведення аналізу вольт-амперних характеристик та визначення механізмів переносу заряду. Розглянуто і проаналізовано процеси інжєкції і рекомбінації носіїв заряду в напівпровідникових структурах. Диференціальний підхід, заснований на наближенні ВАХ, вводиться з метою розпізнавання механізмів інжєкції і рекомбінації фотоелектричних напівпровідникових структур. Загальний обсяг роботи складає 50 сторінок, кількість ілюстрацій — 20, таблиць — 9, джерел за переліком посилань — 17. Thesis is devoted to the electrophysical properties of the structure of melanin / porous silicon. The aim of the work is to analyze the current-voltage characteristics and determine the mechanisms of charge transfer. The processes of injection and recombination of charge carriers in semiconductor structures are considered and analyzed. A differential approach based on the I – V curve approximation is introduced to recognize the mechanisms of injection and recombination of photoelectric semiconductor structures. The total volume of the work is 50 pages, the number of illustrations - 20, tables - 9, sources on the list of references - 17. |
