Вплив гамма-випромiнювання на основнi статичнi характеристики SiGe транзисторiв
| Autor: | Dvornikov, О. V., Dziatlau, V. L., Prokopenko, N. N., Tchekhovski, V. А., Дворнiков, О. В. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: |
аналоговые микросхемы
analog microcircuits гамма випромiнювання гамма излучение SiGe-transistors радiацiйна стiйкiсть radiation hardness основные статические характеристики транзистора SiGe-транзисторы gamma rays основнi статичнi характеристики транзистора main static characteristics of transistor радиационная стойкость SiGe-транзистори аналоговi мiкросхеми |
| Zdroj: | Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71 |
| Popis: | Розглянуто вплив гамма-випромiнювання радiонуклiда 60Co на найбiльш важливi для аналогових мiкросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторiв техпроцесу SGB25V: напруга на прямозмiщеному емiтерному переходi, залежнiсть статичного коефiцiєнта передачi струму бази в схемi з спiльним емiтером (β) вiд емiтерного струму, вихiдна характеристика в схемi з спiльним емiтером. The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static base current gain (β) in the common-emitter configuration on emitter current, the output characteristic in the common-emitter configuration. Рассмотрено воздействие гамма-излучения радионуклида 60Co на наиболее значимые для аналоговых микросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторов техпроцесса SGB25V: напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе, зависимость статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером (β) от эмиттерного тока, выходная характеристика в схеме с общим эмиттером. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|