| Popis: |
Стабільні генератори світлових імпульсів нано- та субнаносекундної тривалості можуть знайти широке використання у експериментальній техніці, приладобудуванні. У якості джерела світла в таких генераторах перспективно використовувати стабільні, широкосмугові, швидкі світлодіоди на основі карбіду кремнію, що працюють у режимі електричного пробою. Існує необхідність створення стабільних формувачів імпульсного струму для їх живлення. Метою даної роботи є створення таких формувачів на основі лавинних та швидкісних польових транзисторів. Випробувана значна кількість типів та екземплярів недорогих епітаксіальних транзисторів, працюючих у лавинному режимі. Експериментально визначено оптимальний інтервал напруг пробою колекторного переходу. Досліджена часова нестабільність формувачів на лавинних транзисторах. Виявлені закономірності їх старіння. Відпрацьована схема формувача на польовому транзисторі, що працює під керівництвом лавинного, що дозволяє формувати субнаносекундні імпульси струму через світлодіоди амплітудою до 1 А. Stable generators of light impulses nano and subnanosecond duration can find a wide usage in an experimental technique, instrument-making. As a light source in such generators it is perspective to use stable, broadband, fast-acting light-emitting diodes on the basis of carbide of silicon, working in the mode of electric break-down. There is a necessity of creation of stable reshapers of pulse current for their power supply. A objective of this paper is creation of such reshapers on the basis of the avalanche and high-speed field-effect transistors. A lot of types and copies of inexpensive epitaxial transistors working in the avalanche mode is tested. The optimal interval of break-down voltages of collector junction is experimentally determined. Temporal instability of reshapers on avalanche transistors is investigated. Behaviour of their ageing(degradation) is studied. The circuit design of reshaper on the field transistor working by avalanche transistor control is developed. That allows to form the subnanosecond impulses of current through light-emitting diodes by amplitude to 1 A. Стабильные генераторы световых импульсов нано- и субнаносекундной длительности могут найти широкое применение в экспериментальной технике, приборостроении. В качестве источника света в таких генераторах перспективно использовать стабильные, широкополосные, быстродействующие светодиоды на основе карбида кремния, работающие в режиме электрического пробоя. Имеется необходимость создания стабильных формирователей импульсного тока для их питания. Целью данной работы является создание таких формирователей на основе лавинных и быстродействующих полевых транзисторов. Испытано значительное количество типов и экземпляров недорогих эпитаксиальных транзисторов, работающих в лавинном режиме. Экспериментально установлен оптимальный интервал напряжений пробоя коллекторного перехода. Исследована временная нестабильность формирователей на лавинных транзисторах. Выявлены закономерности их старения. Отработана схема формирователя на полевом транзисторе, работающем под управлением лавинного, которая позволяет формировать субнаносекундные импульсы тока через светодиоды амплитудой до 1 А. |
