Volframa pārklājumu termiska modificēšana detektēšanai ar infrasarkanās spektrometrijas metodi
| Autor: | Goldmane, Annija Elizabete |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Avotiņa, Līga, Latvijas Universitāte. Ķīmijas fakultāte |
| Jazyk: | lotyšština |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Popis: | Volframa pārklājumu termiska modificēšana detektēšanai ar infrasarkanās spektrometrijas metodi. Goldmane A. E., zinātniskā vadītāja, pētniece, Avotiņa L. Bakalaura darbs, 36 lpp, 15 attēli, 4 tabulas, 56 literatūras avoti, 6 pielikumi. Latviešu valodā. Pusvadītāju tehnoloģijas mūsdienās lieto dažāda veida elektronikai. Materiālu atbilstību parametriem nosaka ražošanas gaitā – nepieciešams izstrādāt metodoloģiju to izvērtēšanai. Darbā veikta uz silīcija (Si) – silīcija dioksīda (SiO2) pamatnes sintezēta volframa (W) pārklājumu termiska modificēšana un izpēte ar FTIR, XRD, SEM-EDS metodi. Modificētu pārklājumu spektros ir papildus signāli 700-900 cm-1, kas attiecināmi uz W-skābekļa saitēm; kristalogrāfiskā struktūra uzrāda W trioksīda klātbūtni; SEM-EDS apstiprina virsmas slāņu izmaiņas. VOLFRAMS, PLĀNĀS KĀRTIŅAS, FTIR, SEM-EDS, TERMISKA MODIFICĒŠANA Thermal modification of tungsten coatings for detection by infrared spectrometry method. Goldmane A. E., scientific supervisor, researcher, Avotiņa L. Bachelor work, 36 pages, 15 figures, 4 tables, 56 literature sources, 6 appendices. In Latvian. Semiconductor technology is for various types of electronics. Material parameters are determined during production, it is necessary to develop a methodology to assess their adequacy. In the present research tungsten (W) coatings synthesized on silicon (Si) – silica (SiO2) substrate are thermaly modified and analysed by FTIR, XRD SEM-EDS. In the modified layers additional bonds in range of 700-900 cm-1 occur – related to W-oxygen bonds; crytalographic analysis shows to presence of W trioxide, SEM-EDX confirms changes within films. TUNGSTEN, THIN FILMS, FTIR, SEM-EDS, THERMAL MODIFICATION |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|