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Die vorliegende Dissertation beinhaltet die erfolgreiche Entwicklung aller relevanten Technologieschritte, die zur Herstellung einer homoepitaktischen CuIn-basierenden Chalkopyritschicht notwendig sind: Synthese des Ausgangsmaterials, Kristallzüchtung, Präparation der Substrate und epitaktische Schichtabscheidung. Die hierfür eingesetzten Verfahren sind die Flüssigphasenepitaxie und der sequentielle Stacked Elemental Layer Prozeß. The present thesis deals with the successful development of all necessary technology steps for the production of homoepitaxial CuIn-based chalcopyrite-layers: synthesis of the starting material, crystal growth, substrate preparation and the deposition of the epitaxial layers. The used methods are the liquid phase epitaxy (LPE) and the stacked elemental layer process (SEL). |
