| Popis: |
Мета роботи полягає у дослідженні вольт-амперної характеристики діодів Шотткі як елементів інтегрованих мікросхем і контактних структур в режимах прямого і зворотного зміщення, розрахунку їх робочих параметрів на основі одновимірної моделі та порівнянні експериментальних і розрахункових результатів. У ході виконання кваліфікаційної роботи магістра розглянута класифікація та загальна характеристика основних груп напівпровідників. Проведено експериментальне дослідження вольт-амперної характеристики промислового діода Шотткі типу КД268А. Отримано, що при зростанні прямого струму від 0 до 0,8 мА значення прямої напруги зростає від 0 до 3 В; при зростанні зворотнього струму від 0 до 0,14 мкА величина зворотної напруги змінюється від 0 до 1,4 В. Розрахунок теоретичної характеристики діода КД268А на основі одновимірної моделі p-n-переходу показав, що відхилення між експериментальними і розрахунковими результатами складає від 1,7 до 4,7 % при зростанні прямої напруги від 0 до 3В, що пояснюється тим, що в одновимірній моделі діода за основу взяті припущення: на базовій області не відбувається падіння напруги; концентрація неосновних носіїв мала в порівнянні з концентрацією основних; омічний контакт знаходиться у стані рівноважної концентрації носіїв заряду, яким повністю фактично повністю відповідають властивості контактного переходу Pt/GaAs діода КД268А. |
