| Popis: |
Досліджено товщинні (d) залежності термоелектричних (ТЕ) параметрів (концентрації n, рухливо- сті , провідності , коефіцієнтів Зеєбека S і термоелектричної потужності S2 ) наноструктур n-PbTe легованих вісмутом із вмістом Bi 2 ат. %, вирощених з парової фази на ситалі. Немонотонний хід d- залежностей досліджуваних параметрів пояснено квантуванням енергетичного спектру електронного газу у квантовій ямі структури ситал/n-PbTe:Bi. На базі цього припущення для зазначеної структури побудовано та співставлено з експериментальними теоретичні d-залежності відповідних ТЕ парамет- рів. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27791 |
