| Popis: |
The paper presents an empirical model of the spectral dependence of the distribution of densities of electron states, which covers the main features of hydrogenated amorphous silicon. The effect of the degree of disorder the amorphous structure on the shape and size of tails in electronic states valence band and conduction band. These tails in the forbidden area affect many of the unique properties of amorphous semiconductors. The results can be applied for optimization of technology and modeling of many devices based on amorphous silicon (solar cells, transistors, etc.). В работе приведена эмпирическая модель спектральной зависимости распределения плотностей электронных состояний, которая охватывает основные особенности аморфного кремния. Показано влияние степени разупорядоченности аморфной структуры на форму и величину хвостов электронных состояний валентной зоны и зоны проводимости. Данные хвосты в запрещенной зоне влияют на многие уникальные свойства аморфных полупроводников. Результаты могут быть применены для оптимизации технологии и моделировании работы многих приборов на основе аморфного кремния (солнечных элементов, транзисторов и др.). В роботі наведена емпірична модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделюванні роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін.). |
