Розрахунок спектральних характеристик резонансно-тунельних структур на основі методу S-матриці
Jazyk: | ukrajinština |
---|---|
Rok vydání: | 2015 |
Předmět: | |
Popis: | Інтерес до вивчення резонансно-тунельних структур зумовлений їх широким використанням у приладах твердотілої наноелектроніки. Зокрема, було продемонстроване застосування цих структур при створенні резонансно-тунельних діодів (РТД), цифро-аналогових перетворювачів, задаючих генераторів, регістрів зсуву та статичних запам’ятовуючих пристроїв із довільною вибіркою. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |