| Popis: |
В роботі проведені дослідження коливань напруги, що виникають при протіканні струмів високої густини через кремнієву структуру з діелектричною ізоляцією (КСДІ-структури). Досліджувались вольт-амперні характеристики структури в імпульсному режимі, характерні параметри отриманих осцилограм коливань як релаксаційних, так і квазігармонічних. Запропонована модель виникнення коливань. В работе проведены исследования колебаний напряжения, которые возникают при протекании токов высокой плотности через кремневую структуру с диэлектрической изоляцией (КСДИструктуры). Исследовались вольт-амперные характеристики структуры в импульсном режиме, характерные параметры полученных осциллограмм колебаний, как релаксационных, так и квазигармонических. Предложена модель возникновения колебаний. In the work, studies of voltage oscillations that occur during the flow of high-density currents through a silicon structure with dielectric insulation (SSDI structure) are carried out. Volt-ampere characteristics of the structure in the pulsed mode, characteristic parameters of the oscillograms of oscillations, both relaxation and quasi-harmonic, were studied. A model of the occurrence of oscillations is proposed. |
