A comparison of indium migration in the MBE growth of SQW InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers on patterned substrates using As2 and As4

Autor:	Dion, M., Gupta, V. K., Wasilewski, Z. R., Norman, C. E, Pratt, A. R., Chow-Chong, P., Williams, R. L.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	1996
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1674::6bf5c13425cd4fac4fccdde31791b599 https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=198f15a3-3836-44b2-be82-a0c2a94dfff4 Zobrazit plný text záznamu