Scaling behaviour of metal-insulator transitions in a Si/SiGe 2-dimensional hole gas
| Autor: | Possanzini, C., Ponomarenko, L., de Lang, D., de Visser, A., Olsthoorn, S. M., Fletcher, R., Feng, Y., Coleridge, P. T., Williams, Robin, Maan, J. C. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2002 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|