| Popis: |
В работе рассматривается влияние имплантации ионов бора и постимплантационного отжига на оптические и электрические свойства кристаллов природного алмаза. Установлено, что имплантация ионов бора в алмаз позволяет формировать полупроводниковый слой p-типа с энергией активации 0,37 эВ при малых дозах имплантации. Увеличение дозы приводит к снижению энергии активации до нуля, что позволяет изготавливать спои с заданной энергией активации. Наряду с этим при высоких дозах имплантации наблюдается значительное увеличение коэффициента поглощения в спектральном диапазоне 2,5 - 20 мкм. Спектры отражения имплантированного алмаза трансформируются с ростом дозы, приобретая черты, характерные для спектров отражения графита. Проведенные исследования показали, что с помощью имплантации ионов бора в алмазе могут быть созданы как полупроводниковые слои, так и слои с высокой оптической плотностью. The influence of boron implantation and postimplantation annealing on the some optical and electrical properties of natural diamond have been presented. It was found that low dose boron implantation forms p-type semiconducting layers with activation energy of 0,37 eV. An increase of implantation dose leads to reduction of activation energy up to zero This dependence allows fabricate structures with defined activation energy. The effect of high dose irradiation reveals in the sufficient growth of optical absorption in the spectral range of 2,5 - 20 mkm. The reflection spectra of irradiated surface transforms with implantation dose to the spectra of graphite. Obtained results shows that boron implantation can be used for fabrication of both semiconducting layers and layers with high optical density. |
